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EBE21UE8ACWA-8G-E

更新时间: 2024-02-12 17:55:09
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 237K
描述
2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE21UE8ACWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240内存密度:17179869184 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.16 A子类别:DRAMs
最大压摆率:3.04 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE21UE8ACWA-8G-E 数据手册

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EBE21UE8ACWA  
DQS and /DQS (input and output pin)  
DQS and /DQS provide the read data strobes (as output) and the write data strobes (as input).  
DM (input pins)  
DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and /DQS.  
VDD (power supply pins)  
1.8V is applied. (VDD is for the internal circuit.)  
VDDSPD (power supply pin)  
1.8V is applied (For serial EEPROM).  
VSS (power supply pin)  
Ground is connected.  
Detailed Operation Part and Timing Waveforms  
Refer to the EDE1108ACBG, EDE1116ACBG datasheet (E1173E).  
Data Sheet E1213E10 (Ver. 1.0)  
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