是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SODIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM200,24 |
针数: | 200 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XZMA-N200 | 长度: | 67.6 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 200 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM200,24 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 30 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.16 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 3.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.6 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.8 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
EBE21UE8AESA-8G-F | ELPIDA | 2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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EBE21UE8AEWA | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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EBE21UE8AEWA-6E-E | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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EBE21UE8AEWA-8G-E | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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EBE21UE8AFFA | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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EBE21UE8AFFA-6E-F | ELPIDA | 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
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