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EBE10UE8AEFB-6E-F

更新时间: 2024-01-05 17:10:42
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
30页 229K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE10UE8AEFB-6E-F 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:240
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.45 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码:R-XDMA-N240长度:133.35 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified座面最大高度:30 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
宽度:3.18 mmBase Number Matches:1

EBE10UE8AEFB-6E-F 数据手册

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EBE10UE8AEFB  
Logical Clock Net Structure  
3DRAM loads (CK1 and /CK1, CK2 and /CK2)  
R = 200Ω  
C1  
DRAM  
DRAM  
C1  
DIMM  
connector  
R = 200Ω  
DRAM  
C1  
R = 200Ω  
2DRAM loads (CK0 and /CK0)  
R = 200Ω  
DRAM  
C1  
C2  
DIMM  
connector  
R = 200Ω  
DRAM  
C1  
R = 200Ω  
* C1: 1pF  
C2: 2pF  
Preliminary Data Sheet E1402E10 (Ver. 1.0)  
9

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