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EBE10UE8AFSA-8G-F

更新时间： 2024-02-11 13:51:05

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

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EBE10UE8AFSA-8G-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	内存密度：	8589934592 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBE10UE8AFSA-8G-F 数据手册

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DATA SHEET

1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

EBE10UE8AFSA (128M words × 64 bits, 1 Rank)

Specifications

Features

• Density: 1GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

128M words × 64 bits, 1 rank

• Mounting 8 pieces of 1G bits DDR2 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 200-pin socket type small outline dual in

line memory module (SO-DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 0.6mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 800Mbps/667Mbps (max.)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_18

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Precharge: auto precharge option for each burst

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

access

operation

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1450E20 (Ver.2.0)

Date Published July 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2009

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