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DTC314TUT106 PDF预览

DTC314TUT106

更新时间： 2024-09-09 14:49:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, SC-70, 3 PIN

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DTC314TUT106 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

DTC314TUT106 数据手册

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DTC314TU / DTC314TK  
Transistors  
Digital transistors (built-in resistor)  
DTC314TU / DTC314TK  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
In addition to the features of regular  
digital transistors,  
DTC314TU  
2.0 0.2  
0.9 0.1  
1.3 0.1  
1) Low saturation voltage, typically  
VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA,  
makes these transistors ideal for  
muting circuits.  
0.65 0.65  
0.7 0.1  
0.2  
(1)  
(2)  
0~0.1  
(3)  
2) These transistors can be used at  
high current levels, IC=600mA.  
+0.1  
−0  
0.3  
0.15 0.05  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
All terminals have same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
Abbreviated symbol : H04  
2.9 0.2  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
DTC314TK  
!Structure  
NPN digital transistor  
(Built-in resistor type)  
+0.2  
1.1  
−0.1  
0.8 0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
!Equivalent circuit  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
0.4  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
−0.05  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
All terminals have same dimensions  
Abbreviated symbol : H04  
C
B
R1  
E
B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits(DTC314T  
)
Parameter  
Symbol  
Unit  
U
K
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
30  
15  
V
V
5
V
I
C
600  
200  
150  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
Tstg  
−55~+150  
123

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DTC314TUT106 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC343TKT146 ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC314TKT146 ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SMT3, S

与DTC314TUT106相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC314TUTA106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70,
DTC314TV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
DTC314TVTV2 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC314TVTV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC314TVTV4 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
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 		Bias Resistor Transistors
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 		DIGITAL TRANSISTOR

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