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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTC115GLATL4 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTC115GS | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR |
|
| DTC115GS3 | ETC |
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Mini size of Discrete semiconductor elements |
|
| DTC115GSA | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistor) |
|
| DTC115GU | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
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| DTC115GU3 | ROHM |
获取价格 |
本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。 |
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| DTC115GU3T106 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| DTC115GUA | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistor) |
|
| DTC115GUAT106 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, |
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| DTC115GUAT107 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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