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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTC115GUS3 | ETC |
获取价格 |
Mini size of Discrete semiconductor elements |
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| DTC115GV | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTC115GVA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTC115T | ROHM |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTOR |
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| DTC115T | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTOR) |
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| DTC115T_11 | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC115T_15 | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC115TA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTC115TAA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTC115TAAC2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3 |
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