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DTC115T PDF预览

DTC115T

更新时间： 2024-01-19 22:45:22
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友顺 - UTC 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTOR)

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DTC115T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.61
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：27
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC115T 数据手册

 浏览型号DTC115T的Datasheet PDF文件第2页 
UTC DTC115T  
NPNDIGITAL TRANSISTOR  
NPN DIGITAL TRANSISTOR  
(BUILT-IN RESISTOR)  
FEATURES  
*Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors.  
*The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
1
*Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making device design easy.  
3
EQUIVALENT CIRCUIT  
MARKING  
CB5T  
C
R1  
SOT-23  
B
1: EMITTER  
2: BASE  
3: COLLECTOR  
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic  
RATING  
UNIT  
V
V
50  
50  
5
100  
200  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Collector Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
V
mA  
mW  
℃
Pc  
Tj  
Tstg  
150  
-55～+150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
BVCBO Ic=50µA  
BVCEO Ic=1mA  
BVEBO IE=50µA  
50  
50  
5
V
V
V
µA  
µA  
V
ICBO  
IEBO  
VCB=50V  
VEB=4V  
0.5  
0.5  
0.3  
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Input resistance  
Transition frequency  
VCE(sat) Ic=1mA, IB=0.1mA  
hFE  
R1  
fT  
VCE=5V, Ic=1mA  
100  
70  
250  
100  
250  
600  
130  
kΩ  
MHz  
VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz  
*
* Transition frequency of the device  
1
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R206-063,A  
12

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DTC115T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC143TETL ROHM

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