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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC115GSA
DTC115GSA PDF预览

DTC115GSA

更新时间： 2024-02-06 03:32:46
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Digital transistors (built-in resistor)

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DTC115GSA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.61
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：27
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC115GSA 数据手册

 浏览型号DTC115GSA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC115GSA的Datasheet PDF文件第3页 
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA  
Transistors  
Digital transistors (built-in resistor)  
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) The built-in bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input, and  
parasitic effects are almost completely eliminated.  
2) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making device design easy.  
DTC115GUA  
1.25  
2.1  
3) Higher mounting densities can be achieved.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
zEquivalent circuit  
C
B
DTC115GKA  
R
E
E : Emitter  
C : Collector  
B : Base  
1.6  
2.8  
0.3Min.  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
50  
Collector-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltag  
Emitter-base voltage  
Collector current  
50  
5
V
V
DTC115GSA  
4
2
I
C
100  
mA  
mW  
mW  
°C  
°C  
DTA115GUA / DTA115GKA  
DTA115GSA  
200  
Collector power  
dissipation  
Pc  
300  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
0.45  
0.45  
2.5 0.5  
zPackage, marking, and packaging specifications  
5
Type  
DTC115GUA  
UMT3  
K29  
DTC115GKA  
DTC115GSA  
Package  
Marking  
SMT3  
SPT  
−
Taping specifications  
( ) ( ) ( )  
1
2
3
K29  
Packaging code  
T106  
T146  
TP  
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
5000  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
5
−
−
−
−
−
−
−
100  
250  
−
−
−
0.5  
58  
0.3  
−
130  
−
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltag  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
C
V
E
=72µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
30  
−
82  
70  
−
µA  
µA  
V
V
V
I
Emitter cutoff current  
V
I
I
C
=5mA, I  
B=0.25mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
h
−
kΩ  
MHz  
C=5mA, VCE=5V  
R
−
Emitter-base resistance  
f
T
V
CE=10V, I  
E
=−5mA, f=100MHz  
∗
Transition frequency  
∗ Transition frequency of the device.  
Rev.A  
1/2  
123

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与DTC115GSA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC115GU ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR
DTC115GU3 ROHM

获取价格

 		本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。
DTC115GU3T106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTC115GUA ROHM

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistor)
DTC115GUAT106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70,
DTC115GUAT107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
DTC115GUS3 ETC

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 		Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC115GV ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC115GVA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC115T ROHM

获取价格

 		DIGITAL TRANSISTOR

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