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DTA115EETR

更新时间: 2024-01-16 14:55:49
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罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

DTA115EETR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.6
Is Samacsys:N其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC):0.02 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):27
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DTA115EETR 数据手册

  
DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA / DTA115ESA  
DTC115EE / DTC115EUA / DTC115EKA / DTC115ESA  
Transistors  

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