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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA115EU3
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DTA115EU3

更新时间： 2023-06-19 15:31:06
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 157K
描述
本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。

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DTA115EU3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：27
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTA115EU3 数据手册

 浏览型号DTA115EU3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA115EU3的Datasheet PDF文件第3页 
100mA / 50V Digital transistors  
(with built-in resistors)  
DTA115EEB  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
Inverter, Interface, Driver  
EMT3F  
zFeatures  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external input resistors  
(see equivalent circuit).  
(3)  
2) Each bias resistor is a thin-film resistor.  
Since they are completely insulated,  
(1)  
(2)  
the input can be negatively biased.  
The insulation also eliminates most of the parasitic effects.  
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
Abbreviated symbol : 19  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
Each lead has same dimensions  
zStructure  
PNP silicon epitaxial planar digital transistor  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Taping  
TR  
OUT  
(3)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
R2  
DTA115EEB  
R1  
(1)  
(2)  
GND  
IN  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
IN  
OUT  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
GND(+)  
Supply voltage  
V
CC  
−50  
R1=100kΩ, R2=100kΩ  
V
Input voltage  
V
IN  
−40 to 10  
−100  
∗1  
∗2  
I
C(Max.)  
mA  
mA  
mW  
°C  
Collector current  
Output Current  
I
O
−20  
Power dissipation  
Junction temperature  
P
D
150  
Tj  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
°C  
∗1 Characteristics of built-in transistor  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
www.rohm.com  
2009.07 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与DTA115EU3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA115EUA ROHM

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 		-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTA115EUAT106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTA115EUAT107 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
DTA115EUB ROHM

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 		本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。
DTA115EUBTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTA115EV ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
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DTA115EVATV2 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
DTA115EVATV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
DTA115EVATV4 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3

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