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DTA115EUBTL

更新时间: 2024-09-24 13:07:27
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罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

DTA115EUBTL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.6其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

DTA115EUBTL 数据手册

  
DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA / DTA115ESA  
DTC115EE / DTC115EUA / DTC115EKA / DTC115ESA  
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