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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA115EUA
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DTA115EUA

更新时间： 2024-01-11 18:27:18
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 142K
描述
-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)

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DTA115EUA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：27
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTA115EUA 数据手册

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-100mA / -50V Digital transistors  
(with built-in resistors)  
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA  
Applications  
Inverter, Interface, Driver  
Features  
1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input,  
and parasitic effects are almost completely eliminated.  
3)Only the on/off conditions need to be set for operation, making the device design easy.  
4)Higher mounting densities can be achieved.  
Structure  
PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)  
Dimensions (Unit : mm)  
DTA115EM  
DTA115EE  
0.7  
1.6  
0.3  
1.2  
0.32  
0.55  
(3)  
(
3
)
(
)( )  
2
1
(
)
( )  
1
0.22  
2
0.13  
0.2  
0.2  
0.4 0.4  
0.5  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
0.15  
0.8  
0.5  
0.5  
ROHM : VMT3  
DTA115EUA  
ROHM : EMT3  
DTA115EKA  
1.0  
Abbreviated symbol : 19  
2.9  
Abbreviated symbol : 19  
1.1  
0.8  
2.0  
0.9  
0.7  
0.4  
0.2  
0.3  
( )  
3
(
)
3
(
)
( )  
1
2
( )  
2
( )  
1
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
(1) GND  
(2) IN  
0.95 0.95  
1.9  
0.650.65  
1.3  
0.15  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
0.15  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(3) OUT  
Each lead hsa same dimensions  
Each lead hsa same dimensions  
Abbreviated symbol : 19  
Abbreviated symbol : 19  
Packaging specifications  
Inner circuit  
Package  
Packging type  
Code  
VMT3 EMT3 UMT3 SMT3  
Taping Taping Taping Taping  
R
1
OUT  
IN  
T2L  
TL  
T106 T146  
R
2
Part No.  
Basic ordering unit (pieces) 8000 3000 3000 3000  
GND (+)  
DTA115EM  
DTA115EE  
DTA115EUA  
DTA115EKA  
−
−
−
−
−
−
−
−
IN  
OUT  
GND (+)  
−
−
−
−
R1=R2=100kΩ  
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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DTA115EUA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTA115EUAT106 ROHM

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 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
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DTA115EUB ROHM

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 		本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。
DTA115EUBTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTA115EV ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTA115EVA ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SIP
DTA115EVATV2 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
DTA115EVATV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3

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