DTA114TKA

更新时间： 2024-11-04 09:58:03

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	699K
描述
PNP Digital Transistor

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DTA114TKA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

DTA114TKA 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

DTA114TKA

Micro Commercial Components

Features

•

Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors (see equivalent circuit)

The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow negative biasing of the input. They also have the

advantage of almost completely eliminating parasitic effects

Only the on/off conditions need to be set for operation, making

device design easy

PNP Digital Transistor

•

SOT-23-3L

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CBO

-50

1. Base

2. Emitter

3. Collector

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current-Continuous

V_CEO

V_EBO

I_C

-50

-5

-100

Collector Dissipation

P_C

200

℃

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55~150

T_STG

DIMENSIONS

Electrical Characteristics

INCHES

MAX

.117

Sym

Parameter

Min

-50

Typ

---

Max

---

Unit

DIM

MIN

2.87

2.75

1.55

.925

1.85

.04

1.12

.14

.34

MAX

2.97

2.85

1.65

.975

1.95

.100

1.25

.17

NOTE

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uA, I_E=0)

.113

.108

.061

.036

.073

.0016

.044

.006

.013

V_(BR)CBO

.112

.065

.038

.077

.0039

.049

.007

.015

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mA, I_B=0)

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-5

---

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uA, I_C=0)

---

Collector Cut-off Current

(V_CB=-50V, I_E=0)

---

-0.5

600

---

.37

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

Emitter Cut-off Current

(V_EB=-4V, I_C=0)

I_EBO

---

DC Current Gain

h_FE

100

250

(V_CE=-5V, I_C=-1mA)

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

R₁

---

-0.3

.035

.900

(I_C=-10mA, I_B=-1mA)

Input Resistor

KΩ

MHz

.087

2.200

Transition Frequency

inches

f_T

---

250

---

(V_CE=-10V, I_C=-5mA, f=100MHz)

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 1

2005/06/29

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTA114TKAP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
DTA114TKAT146	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59,
DTA114TKT146	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
DTA114TL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
DTA114TLA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
DTA114TL-AE3-6-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTORS
DTA114TL-AE3-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTA114TL-AL3-6-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTORS
DTA114TL-AL3-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTA114TL-AN3-6-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTORS

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