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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 0.87 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DTA114TUBTL | ROHM |
完全替代  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| DTA114TUAT106 | ROHM |
类似代替 |
PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| DTA114TUA-TP | MCC |
类似代替 |
PNP Digital Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTA114TKT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| DTA114TL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTA114TLA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
|
| DTA114TL-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS |
|
| DTA114TL-AE3-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTA114TL-AL3-6-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS |
|
| DTA114TL-AL3-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTA114TL-AN3-6-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS |
|
| DTA114TL-AN3-R | UTC |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTA114TLATL2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
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