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DTA114TE-TP-HF PDF预览

DTA114TE-TP-HF

更新时间： 2024-11-13 20:04:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 204K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTA114TE-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTA114TE-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTA114TE-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA114TE-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTA114TE  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
PNP Digital Transistor  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-523  
A
D
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
3
1. Base  
C
B
2. Emitter  
Symbol  
VCBO  
Value  
-50  
Unit  
V
1
2
3. Collector  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
-5  
V
V
E
Collector Current-Continuous  
-100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
150  
mW  
H
G
J
к
к
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-55~150  
-55~150  
TSTG  
K
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
DIM  
A
MIN  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
.059  
.030  
.057  
.067  
.033  
.069  
V(BR)CBO  
-50  
---  
---  
V
B
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-50  
-5  
---  
---  
---  
V
D
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
E
.035  
.000  
.028  
.004  
.010  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-50uA, IC=0)  
---  
V
G
H
.000  
.70  
.100  
0.80  
.200  
.35  
Collector Cut-off Current  
(VCB=-50V, IE=0)  
J
.100  
.25  
---  
---  
-0.5  
-0.5  
600  
uA  
uA  
---  
K
Emitter Cut-off Current  
(VEB=-4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
DC Current Gain  
(VCE=-5V, IC=-1mA)  
hFE  
100  
250  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mA, IB=-1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
7
---  
10  
-0.3  
13  
V
Input Resistor  
K¡  
MHz  
Transition Frequency  
(VCE=-10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
*Marking: 94  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与DTA114TE-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA114TETR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTA114TF ROHM

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 		DTA/DTC SERIES
DTA114TFA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
DTA114TFAC1 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTR, 3
DTA114TG-AE3-6-R UTC

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 		DIGITAL TRANSISTORS
DTA114TG-AE3-R UTC

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 		DIGITAL TRANSISTORS
DTA114TG-AL3-6-R UTC

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 		DIGITAL TRANSISTORS
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