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DTA114EEBHZGTL

更新时间: 2024-09-17 13:07:27
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罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 707K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

DTA114EEBHZGTL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SC-89, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:1.54其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-F3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

DTA114EEBHZGTL 数据手册

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