DSI2X55-16A

更新时间： 2024-11-21 03:30:39

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Rectifier Diode

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DSI2X55-16A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	8.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	最大非重复峰值正向电流：	650 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	56 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	190 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	最大反向电流：	300 µA
反向测试电压：	1600 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DSI2X55-16A 数据手册

DSI 2x55

I_F(AV)M= 2x 56 A

V_RRM= 1200-1600 V

Rectifier Diode

miniBLOC, SOT-227 B

E72873

V_RSM

V_RRM

Type

1300

1700

1200

1600

DSI 2x55-12A

DSI 2x55-16A

Symbol

Conditions

Maximum Ratings (per diode)

Features

●

International standard package

miniBLOC (ISOTOP compatible)

Isolation voltage 2500 V~

2 independent rectifier diodes in one

package

Planar passivated chips

I_FRMS

I_F(AV)M

120

T_C= 80°C; 180° sine

●

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

650

700

●

t = 8.3 ms(60 Hz), sine

●

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

570

610

t = 8.3 ms(60 Hz), sine

Applications

Input rectifier diode

Rectifiers in switch mode power

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms(60 Hz), sine

2210

2060

A²s

●

A²s

supplies (SMPS)

Inductive heating and melting

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

1620

1560

●

t = 8.3 ms(60 Hz), sine

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

●

miniBLOC, SOT-227 B

P_tot

T_C= 25°C

190

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

2500

I_ISOL£ 1 mA

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

Conditions

Characteristic Values (per diode)

typ.

max.

I_R

T_VJ= 25°C

T_VJ= 150°C

V_R= V_RRM

0.3

M4 screws (4x) supplied

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

V_F

I_F= 60 A;

T_VJ= 125°C

1.25

1.20

31.50

7.80

31.88

8.20

1.240

0.307

1.255

0.323

T_VJ

= 25°C

4.09

4.29

0.161

0.169

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

4.09

14.91

4.29

15.11

0.161

0.587

0.169

0.595

R_thJC

R_thCH

0.65

K/W

30.12

37.80

30.30

38.20

1.186

1.489

1.193

1.505

0.1

11.68

8.92

12.22

9.60

0.460

0.351

0.481

0.378

Data according to IEC 60747

0.76

12.60

0.84

12.85

0.030

0.496

0.033

0.506

25.15

1.98

25.42

2.13

0.990

0.078

1.001

0.084

4.95

26.54

5.97

26.90

0.195

1.045

0.235

1.059

3.94

4.72

4.42

4.85

0.155

0.186

0.174

0.191

24.59

-0.05

25.07

0.1

0.968

-0.002

0.987

0.004

3.30

0.780

4.57

0.830

0.130

19.81

0.180

21.08

008

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSI30-08A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode
DSI30-08A	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-08AC	IXYS	获取价格	Standard Rectifier
DSI30-08AS	IXYS	获取价格	Standard Rectifier
DSI30-08AS	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-08AS-TRL	IXYS	获取价格	Rectifier Diode,
DSI30-08AS-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode,
DSI30-08AS-TUB	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
DSI30-12A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode
DSI30-12A	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。

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