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DSI30-08AS

更新时间: 2024-11-24 12:35:35
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IXYS 整流二极管局域网
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5页 141K
描述
Standard Rectifier

DSI30-08AS 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Transferred
零件包装代码:D2PAK包装说明:R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:3.68Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.45 VJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:180 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DSI30-08AS 数据手册

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DSI30-16AS  
VRRM  
IFAV  
VF  
=
=
=
1600V  
30A  
Standard Rectifier  
1.25V  
Single Diode  
Part number  
DSI30-16AS  
Backside: cathode  
1
3
2/4  
TO-263 (D2Pak)  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
Planar passivated chips  
Diode for main rectification  
For single and three phase  
bridge configurations  
Industry standard outline  
RoHS compliant  
Epoxy meets UL 94V-0  
Very low leakage current  
Very low forward voltage drop  
Improved thermal behaviour  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20130107a  
© 2013 IXYS all rights reserved  

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