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DSI30-12AS-TRL

更新时间： 2024-11-20 20:10:35

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5页	157K
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Rectifier Diode,

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DSI30-12AS-TRL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.6 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	275 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	160 W
参考标准：	IEC-60747	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向电流：	40 µA	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

DSI30-12AS-TRL 数据手册

DSI30-12AS

V_RRM

I_FAV

V_F

1200V

30A

Standard Rectifier

1.25V

Single Diode

Part number

DSI30-12AS

Marking on Product: DSI30-12AS

Backside: cathode

2/4

TO-263 (D2Pak)

Features / Advantages:

Applications:

Package:

● Planar passivated chips

● Diode for main rectification

● For single and three phase

bridge configurations

● Industry standard outline

● RoHS compliant

● Epoxy meets UL 94V-0

● Very low leakage current

● Very low forward voltage drop

● Improved thermal behaviour

Disclaimer Notice

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, users should independently

evaluate the suitability of and test each product selected for their own applications. Littelfuse products are not designed for,

www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

and may not be used in, all applications. Read complete Disclaimer Notice at

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20190220b

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与DSI30-12AS-TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSI30-12AS-TUB	IXYS	获取价格	Rectifier Diode,
DSI30-14A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode
DSI30-14AS	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-2
DSI30-16A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode
DSI30-16A	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-16AS	IXYS	获取价格	Standard Rectifier
DSI30-16AS	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-16AS-TUB	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
DSI30-16AS-TUB	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
DSI30-16AS-TUBE	IXYS	获取价格	DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263