DSI30-14A

更新时间： 2024-11-19 22:29:55

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IXYS		二极管
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2页	52K
描述
Rectifier Diode

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DSI30-14A 数据手册

DSI 30

V_RRM= 800-1600 V

I_F(AV)M= 30 A

Rectifier Diode

TO-263 AA

V_RSM

V_RRM

TO-220

TO-263

900

800

DSI 30-08A

DSI 30-12A

DSI 30-14A

DSI 30-16A

DSI 30-08AS

DSI 30-12AS

DSI 30-14AS

DSI 30-16AS

C (TAB)

1300

1500

1700

1200

1400

1600

TO-220 AC

Symbol

I_F(AV)M

I_FSM

Conditions

Maximum Ratings

C (TAB)

T_C= 95°C; 180° sine

A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode

T_VJ= 45°C;

V_R= 0 V;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

300

330

Features

International standard packages

JEDEC TO-263 AA surface mountable

Planar passivated chips

Epoxy meets UL 94V-0 flammability

classification

T_VJ= 150°C;

V_R= 0 V;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

270

300

●

I²t

T_VJ= 45°C;

V_R= 0 V;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

450

460

A²s

●

T_VJ= 150°C;

V_R= 0 V;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

365

380

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

TO-263 AA Outline

M_d

Mounting torque

0.4...0.6

Weight

Symbol

Conditions

Characteristic Values

I_R

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

I_F= 45 A; T_VJ= 25°C

V_F

1.45

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.85

R_thJC

DC current

1.0

K/W

TO-220 Outline

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min. Max.

12.70 14.73 0.500 0.580

14.23 16.51 0.560 0.650

4.06

2.03

4.83

2.79

.160

.080

.190

.110

9.66 10.66 0.380 0.420

3.54 4.08 0.139 0.161

0.51

1.14

0.99

1.40

.020

.045

.039

.055

0.46

1.14

0.74

1.40

.018

.045

.029

.055

5.85 6.85 0.230 0.420

2.54 3.42 0.100 0.135

8.64

7.11

9.65

8.13

.340

.280

.380

.320

1.15 1.77 0.045 0.070

6.35

0.250

9.65

6.86

2.54

10.29

8.13

BSC

.380

.270

.100

.405

.320

BSC

0.64 0.89 0.025 0.035

4.83 5.33 0.190 0.210

14.61

2.29

1.02

1.27

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

.575

.090

.040

.050

.625

.110

.055

.070

.015

3.56 4.82 0.140 0.190

0.38 0.56 0.015 0.022

2.04 2.49 0.080 0.115

0.64 1.39 0.025 0.055

0.46

0.74

.018

.029

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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与DSI30-14A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSI30-14AS	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-2
DSI30-16A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode
DSI30-16A	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-16AS	IXYS	获取价格	Standard Rectifier
DSI30-16AS	LITTELFUSE	获取价格	分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI30-16AS-TUB	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
DSI30-16AS-TUB	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
DSI30-16AS-TUBE	IXYS	获取价格	DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263
DSI-30R1.843G	HITACHI	获取价格	Isolator, 1805MHz Min, 1880MHz Max,
DSI-32	HITACHI	获取价格	Isolator, 800MHz Min, 1400MHz Max,

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