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DSA9-16F

更新时间： 2024-01-04 21:03:39

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IXYS		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Rectifier Diode Avalanche Diode

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DSA9-16F 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.4 V
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	1
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	11 A
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

DSA9-16F 数据手册

DS 9

DSA 9

V_RRM= 800-1800 V

I_F(RMS)= 18 A

I_F(AV)M= 11 A

Rectifier Diode

Avalanche Diode

DO-203 AA

V_RSM

V_(BR)min① V_RRM

Standard

Types

Avalanche

Types

900

800

1200

1600

1800

DS9-08F

DS9-12F

1300

1700

1900

1300

1750

1950

DSA9-12F

DSA9-16F

DSA9-18F

① Only for Avalanche Diodes

A = Anode C = Cathode

Symbol

Test Conditions

T_VJ= T_VJM

T_case= 150°C; 180° sine

Maximum Ratings

Features

International standard package,

①

I_F(RMS)

I_F(AVM)

JEDEC DO-203 AA

Planar glassivated chips

①

P_RSM

I_FSM

DSA types, T_VJ= T_VJM, t_p= 10 ms

4.5

Applications

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

250

265

①

Supplies for DC power equipment

DC supply for PWM inverter

Field supply for DC motors

①

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

200

220

①

Battery DC power supplies

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

310

295

A²s

Advantages

①

Space and weight savings

Simple mounting

①

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

200

190

①

Improved temperature and power

cycling

Reduced protection circuits

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+180

180

-40...+180

°C

①

M_d

Mounting torque

2.2-2.8

19-25

lb.in.

Weight

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

I_R

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

I_F= 36 A; T_VJ= 25°C

V_F

1.4

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.85

R_thJC

R_thJH

DC current

180° sine

DC current

2.0

2.17

3.0

K/W

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Max. allowable acceleration

2.0

100

m/s²

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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DSA9-16F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5932	NTE	功能相似	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp

与DSA9-16F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSA9-18F	IXYS	获取价格	Rectifier Diode Avalanche Diode
DSA9-18F	NJSEMI	获取价格	Diode 1.8KV 11A 2-Pin DO-203AA
DSA9402	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DSA940200L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DSA9G01	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA9G0100L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA9G01B	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA9G01B0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA9G01C	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSAA1	MMD	获取价格	HC-49/US Surface Mounted Crystal

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