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DSA940200L PDF预览

DSA940200L

更新时间： 2024-11-21 20:10:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 750K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, SC-89, 3 PIN

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DSA940200L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, SC-89, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：3.78最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

DSA940200L 数据手册

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DSA9402  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For low frequency amplification  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
Marking Symbol: B2  
Packaging  
DSA940200L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1: Base  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–15  
Unit  
V
2: Emitter  
3: Collector  
Panasonic  
JEITA  
SSMini3-F3-B  
–12  
V
SC-89  
–5  
V
Code  
SOT-490  
–500  
mA  
A
Peak collector current  
ICP  
–1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
125  
mW  
°C  
°C  
°C  
Tj  
150  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
T
stg  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–15  
–12  
–5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = –10 mA, IE = 0  
VCEO IC = –1 mA, IB = 0  
VEBO IE = –10 mA, IC = 0  
V
V
ICBO  
hFE  
VCB = –10 V, IE = 0  
– 0.1  
680  
mA  
VCE = –2 V, IC = –10 mA  
270  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = –200 mA, IB = –10 mA  
–250  
mV  
MHz  
fT  
VCE = –2 V, IC = –10 mA  
300  
4.0  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: February 2014  
Ver. CED  
1
1234

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