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DSA9G0100L PDF预览

DSA9G0100L

更新时间： 2024-11-21 15:46:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 762K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, SC-89, 3 PIN

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DSA9G0100L 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

DSA9G0100L 数据手册

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DSA9G01  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
DSA5G01 in SSMini3 type package  
Unit: mm  
Features  
High transition frequency fT  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
Marking Symbol: A4  
Packaging  
DSA9G01×0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–30  
Unit  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Panasonic  
JEITA  
–20  
V
–5  
V
SSMini3-F3-B  
–30  
mA  
mW  
°C  
°C  
°C  
SC-89  
Code  
SOT-490  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
125  
Tj  
150  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
T
stg  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Base-emitter voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VBE  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCE = –10 V, IC = –1 mA  
VCB = –10 V, IE = 0  
– 0.7  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
– 0.1  
–100  
–10  
µA  
µA  
µA  
VCE = –20 V, IB = 0  
VEB = –5 V, IC = 0  
1
Forward current transfer ratio *  
VCE = –10 V, IC = –1 mA  
70  
220  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = –1 mA  
– 0.1  
300  
V
fT  
VCE = –10 V, IC = –1 mA  
150  
MHz  
Reverse transfer capacitance  
(Common emitter)  
Cre  
VCE = –10 V, IC = –1 mA, f = 10.7 MHz  
1.0  
pF  
Noise figure  
NF  
Zrb  
VCE = –10 V, IC = –1 mA, f = 5 MHz  
VCE = –10 V, IC = –1 mA, f = 2 MHz  
2.8  
22  
dB  
Reverse transfer impedance  
W
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Rank classification  
*
Code  
Rank  
B
B
C
C
0
No-rank  
70 to 220  
A4  
hFE  
70 to 140  
A4B  
110 to 220  
A4C  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: February 2014  
Ver. CED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSA9G01B PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA9G01B0L PANASONIC

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