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DSAF00500L PDF预览

DSAF00500L

更新时间： 2024-11-21 19:23:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 308K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ML3-N4-B, SC-101, 3 PIN

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DSAF00500L 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.78外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-XBCC-N3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSAF00500L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-14131  
Revision . 2  
Bipolar Transistor  
DSAF00500L  
DSAF00500L  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For general amplification  
Complementary to DSCF005  
DSA3005 in ML3 type package  
0.6  
3
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage Vce(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
Marking Symbol:  
Packaging  
A3  
1
2
0.39  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 10 000 pcs / reel (standard)  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Panasonic  
JEITA  
ML3-N4-B  
SC-101  
SOT-883  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-60  
-50  
-6  
-200  
Unit  
V
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Code  
V
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Peak collector current  
ICp  
Pc  
Tj  
Tstg  
-300  
100  
150  
-55 to +150  
*1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Note)*1:  
Copper plate at the collector is 5.0 mm2 on substrate at 10 x 12 x 0.8t mm.  
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
Unit  
V
μA  
μA  
-
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCEO IC = -100μA, IB = 0  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
hFE2  
VCB = -60 V, IE = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
VCE = -6 V, IC = -1mA  
VCE = -6 V, IC = -0.1mA  
-0.1  
-0.1  
390  
150  
90  
Forward current transfer ratio  
-
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
VCE(sat) IC = -100 mA, IB = -10 mA  
-0.3  
V
MHz  
fT  
VCE = -6 V, IC = -10 mA  
150  
5.0  
Cob  
VCB = -6 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note)1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.  
Page 1 of 4  
Established : 2012-03-06  
Revised : 2012-12-25  
12345

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