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DSAF005

更新时间： 2024-09-24 21:04:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	415K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, ML3-N2-B, 3 PIN

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DSAF005 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

DSAF005 数据手册

DSA4005

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page

Tentative

DSA4005

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplifier

Marking Symbol : A3

Package Code : NS-B1-B-B

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

-60

-50

-6

-200

Unit

Pin name

°C

Peak collector current

ICp

-300

300

150

-55 to +150

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C

Parameter

Symbol

VCEO

ICBO

IEBO

hFE1

Conditions

IC = -100μA, IB = 0

VCB = -60 V, IE = 0

VEB = -6 V, IC = 0

VCE = -6 V, IC = -1mA

VCE = -6 V, IC = -0.1mA

Min Typ Max

-50

Unit

μA

MHz

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

-0.1

390

150

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

hFE2

VCE(sat) IC = -100 mA, IB = -10 mA

-0.3

VCE = -6 V, IC = -10 mA

200

5.0

Collector output capacitance

(Common base, input open circuited)

Cob

VCB = -6 V, IE = 0, f = 1 MHz

Note: Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring

methods for transistors.

*1: Rank classification

Code

Rank

No-rank

hFE1

150 to 270 200 to 390 150 to 390

Marking symbol

A3R A3S A3

Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.

Packing

Radial type : 5 000pcs / 1carton

2010.2.23

Prepared

2010.9.10

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

12 3

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与DSAF005相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSAF00500L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DSAI110	IXYS	获取价格	Diode,
DSAI110-12F	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-12F	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-16F	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-16F	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-18F	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-18F	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI1-15.000MHZ	MMD	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSAI1-15.000MHZ-3	MMD	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN

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