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DSA30C150HB PDF预览

DSA30C150HB

更新时间： 2024-09-17 12:27:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
Schottky Diode Gen 2 High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery

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DSA30C150HB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：4.22
其他特性：FREEWHELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.74 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSA30C150HB 数据手册

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DSA 30 C 150 PB  
advanced  
VRRM  
IFAV = 2x  
VF  
=
150 V  
Schottky Diode Gen ²  
A
15  
High Performance Schottky Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
=
0.75 V  
Part number  
1
2
3
DSA 30 C 150 PB  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Very low Vf  
● Extremely low switching losses  
● low Irm values  
● Improved thermal behaviour  
● High reliability circuit operation  
● Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Free wheeling diode in low voltage  
converters  
● Housing: TO-220  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Low noise switching  
R a t i n g s  
min. typ. max.  
150  
Conditions  
Unit  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
TVJ  
TVJ  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
VR = 150V  
VR = 150V  
0.5 mA  
2.5 mA  
TVJ = 125°C  
TVJ 25°C  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
15A  
30A  
15A  
30A  
=
0.89  
V
V
V
V
A
V
Ω
1.02  
0.75  
0.89  
15  
TVJ = 125°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 150°C  
TVJ = 175°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
0.55  
8.8  
for power loss calculation only  
slope resistance  
m
thermal resistance junction to case  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
CJ  
1.75 K/W  
-55  
175  
85  
°C  
W
A
virtual junction temperature  
total power dissipation  
TC  
=
=
=
=
25°C  
45°C  
25°C  
25°C  
(50 Hz), sine  
max. forward surge current  
junction capacitance  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
120  
t = 10 ms  
VR = 24 V; f = 1 MHz  
IAS 1 A; L = 100 µH  
VA = 1.5·V typ.: f = 10 kHz  
82  
pF  
mJ  
A
non-repetitive avalanche energy  
repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
=
0.05  
0.1  
R
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20080929a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
© 2008 IXYS all rights reserved  
123

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DSA30C150HB 替代型号

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