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DS2257-70

更新时间: 2024-10-29 19:41:15
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 468K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, DIP-28

DS2257-70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:31.495 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

DS2257-70 数据手册

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