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DS2262-32

更新时间: 2024-10-29 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 218K
描述
DRAM Module, 1MX8, 200ns, CMOS, SIMM-30

DS2262-32 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM-30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:PAGE
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

DS2262-32 数据手册

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