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DS2262-4

更新时间: 2024-10-29 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 218K
描述
DRAM Module, 1MX8, 200ns, CMOS, SIMM-30

DS2262-4 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM-30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:PAGE最长访问时间:200 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

DS2262-4 数据手册

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