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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1630ABLPM-70IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1630ABLPM-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1630B | NSC |
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Hex CMOS Compatible Buffer |
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| DS1630BJ | TI |
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BUFFER AMPLIFIER, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
|
| DS1630J | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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