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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T36 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP36,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1270W-150# | ROCHESTER |
获取价格 |
2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 |
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| DS1270W-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, |
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| DS1270Y | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y | ADI |
获取价格 |
16M非易失SRAM |
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| DS1270Y/AB | ETC |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
|
| DS1270Y-100# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
|
| DS1270Y-100IND | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
|
| DS1270Y-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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