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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | 5 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码： | R-PDIP-T36 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1270Y/AB | ETC |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
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| DS1270Y-100# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
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| DS1270Y-100IND | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1270Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-70 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
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| DS1270Y-70# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, EDIP-36 |
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| DS1270Y-70IND | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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