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DS1270Y-70#

更新时间： 2024-09-25 15:31:07

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	180K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, EDIP-36

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DS1270Y-70# 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	36
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8473.30.11.40	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.9	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	5 YEAR DATA RETENTION	JESD-30 代码：	R-PDIP-P36
长度：	53.213 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	10.922 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

DS1270Y-70# 数据手册

19-5615; Rev 11/10

DS1270Y/AB

16M Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. 5 years minimum data retention in the

absence of external power

A20

A18

A16

A14

A12

V_CC

A19

A15

A17

A13

. Data is automatically protected during power

loss

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS operation

. Read and write access times of 70 ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

. Full ±10% V_CCoperating range (DS1270Y)

. Optional ±5% V_CCoperating range

(DS1270AB)

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ0

DQ1

. Optional industrial temperature range of

DQ4

DQ3

DQ2

GND

-40°C to +85°C, designated IND

36-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

740-mil EXTENDED

PIN DESCRIPTION

A0 – A20

DQ0 - DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1270 16M Nonvolatile SRAMs are 16,777,216-bit, fully static nonvolatile SRAMs organized as

2,097,152 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control

circuitry which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs,

the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

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DS1270Y-70# 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1270Y-70	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270Y-70IND#	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

与DS1270Y-70#相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1270Y-70IND	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-70IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270Y-70-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1270Y-70IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36
DS1275	MAXIM	获取价格	Line Driver/Receiver, 1 Driver, CMOS, PDIP8,
DS1275N	ETC	获取价格	Transceiver
DS1275S	DALLAS	获取价格	Line Transceiver, 1 Func, 1 Driver, 1 Rcvr, CMOS, PDSO8,
DS1275SN	ETC	获取价格	Transceiver
DS1277	DALLAS	获取价格	Crossbar Switch, 8-Bit, CMOS, PDIP24,
DS1277N	DALLAS	获取价格	Crossbar Switch, 8-Bit, CMOS, PDIP24,

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