5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP-28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-P28 |
| 长度： | 38.225 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 10.67 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DS1230AB-70+ | MAXIM |
类似代替  |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230Y-70IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-85 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-85+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 |
|
| DS1230Y-85IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-85-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28 |
|
| DS1230Y-AB | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-FIR | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
