生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.62 | 最长访问时间: | 200 ns |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 34 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1230YL-200-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1230YL-70 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230YL-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230YL-85 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, | |
DS1230YL-85-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230Y-P100 | DALLAS |
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256k Nonvolatile SRAM | |
DS1230YP-100 | DALLAS |
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256k Nonvolatile SRAM | |
DS1230YP-100 | ROCHESTER |
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32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1230YP-100+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1230Y-P100IND | DALLAS |
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256k Nonvolatile SRAM |