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DS1230YL-200-IND

更新时间： 2024-01-08 21:21:57
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 83K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS,

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DS1230YL-200-IND 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.66
Is Samacsys：N最长访问时间：200 ns
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8端子数量：34
字数：32768 words字数代码：32000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：MODULE,34LEAD,1.0封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.085 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
Base Number Matches：1

DS1230YL-200-IND 数据手册

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DS1230Y/AB  
DS1230Y/AB  
256K Nonvolatile SRAM  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
• 10 years minimum data retention in the absence of  
external power  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
CC  
2
WE  
A13  
A8  
• Data is automatically protected during power loss  
3
• DIP-package devices directly replace 32K x 8 volatile  
static RAM or EEPROM  
A6  
4
A5  
5
A9  
• Unlimited write cycles  
A4  
6
A11  
OE  
• Low-power CMOS  
A3  
7
• Read and write access times as fast as 70 ns  
A2  
8
A10  
CE  
A1  
9
• Lithium energy source is electrically disconnected to  
retainfreshness until power is applied for the firsttime  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
• Full ±10% V operating range (DS1230Y)  
CC  
• Optional ±5% V operating range (DS1230AB)  
CC  
o
• Optional industrial temperature range of -40 C to  
o
+85 C, designated IND  
28-PIN ENCAPSULATED PACKAGE  
740 MIL EXTENDED  
• JEDEC standard 28-pin DIP package  
• Low Profile Module (LPM) package  
–
Fits into standard 68-pin PLCC surface-mount-  
able sockets  
–
250 mil package height  
NC  
NC  
NC  
NC  
1
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
NC  
NC  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
PIN DESCRIPTION  
A0 - A14  
DQ0 - DQ7  
CE  
-
-
-
-
-
-
-
Address Inputs  
Data In/Data Out  
Chip Enable  
Write Enable  
Output Enable  
Power (+5V)  
Ground  
V
CC  
WE  
OE  
CE  
WE  
OE  
V
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
CC  
GND  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
34–PIN LOW PROFILE MODULE (LPM)  
ECopyright 1995 by Dallas Semiconductor Corporation.  
All Rights Reserved. For important information regarding  
patents and other intellectual property rights, please refer to  
Dallas Semiconductor data books.  
100395 1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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