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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230YL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230YL-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, |
|
| DS1230YL-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230Y-P100 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230YP-100 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230YP-100 | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230YP-100+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230Y-P100IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230YP-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-P120 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
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