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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | POWERCAP MODULE-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230YL-100 | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230YL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230YL-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1230YL-120-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230YL-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1230YL-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1230YL-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1230YL-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1230YL-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230YL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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