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DS1230YL-120-IND

更新时间: 2024-02-22 16:21:24
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其他 - ETC 电池
页数 文件大小 规格书
10页 277K
描述
NVRAM (Battery Based)

DS1230YL-120-IND 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62最长访问时间:120 ns
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8端子数量:34
字数:32768 words字数代码:32000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
Base Number Matches:1

DS1230YL-120-IND 数据手册

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