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DS1225Y-200+

更新时间： 2024-12-01 15:32:11
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 168K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

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DS1225Y-200+ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：MODULE
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：7.78
最长访问时间：200 ns其他特性：10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码：R-XDMA-P28JESD-609代码：e3
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8KX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：PIN/PEG端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DS1225Y-200+ 数据手册

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19-5603; Rev 10/10  
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS  
DS1225Y  
64k Nonvolatile SRAM  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
. 10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
VCC  
WE  
NC  
1
28  
27  
NC  
A12  
A7  
A6  
A5  
2
3
4
26  
25  
. Data is automatically protected during power  
loss  
. Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM  
or EEPROM  
. Unlimited write cycles  
. Low-power CMOS  
A8  
A9  
5
6
24  
23  
A11  
OE  
A4  
A3  
A2  
7
8
22  
21  
A10  
CE  
DQ7  
DQ6  
A1  
A0  
9
10  
20  
19  
. JEDEC standard 28-pin DIP package  
. Read and write access times of 150 ns  
. Full ±10% operating range  
. Optional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
DQ0  
11  
12  
18  
17  
DQ1  
DQ2  
GND  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
13  
14  
16  
15  
24-Pin ENCAPSULATED PACKAGE  
720-mil EXTENDED  
PIN DESCRIPTION  
A0-A12  
- Address Inputs  
DQ0-DQ7  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
CE  
WE  
- Output Enable  
- Power (+5V)  
- Ground  
OE  
VCC  
GND  
DESCRIPTION  
The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192  
words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which  
constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium  
energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent  
data corruption. The NV SRAM can be used in place of existing 8k x 8 SRAMs directly conforming to  
the popular bytewide 28-pin DIP standard. The DS1225Y also matches the pinout of the 2764 EPROM or  
the 2864 EEPROM, allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on the  
number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for micro-  
processor interfacing.  
1 of 8  
12345678

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DS1225Y-200+ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DS1225AD-200+ MAXIM

类似代替

 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28
DS1225AD-200IND+ MAXIM

类似代替

 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1225Y-200IND MAXIM

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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, DIP-28
DS1225Y-200-IND DALLAS

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 		64K Nonvolatile SRAM
DS1225Y-IND DALLAS

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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28,
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 		Analog Circuit, 1 Func, CMOS, PDIP20,
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