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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP-28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | 10 YEARS DATA RETENTION PERIOD |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230AB-200 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230AB-200 | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, DMA28, 0.740 INCH, DIP-28 |
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| DS1230AB-200+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 |
|
| DS1230AB-200IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230AB-200IND | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, DMA28, 0.740 INCH, DIP-28 |
|
| DS1230AB-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230AB-55 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230AB-55-IND | DALLAS |
获取价格 |
Memory IC, |
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| DS1230AB-70 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230AB-70+ | MAXIM |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
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