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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP-28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | 10 YEARS DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230ABL-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1230ABL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230ABL-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1230ABL-120-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230ABL-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230ABL-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1230ABL-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1230ABL-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1230ABL-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1230ABL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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