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DS1225AD-200+

更新时间： 2024-12-01 19:07:31
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

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DS1225AD-200+ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8473.30.11.40Factory Lead Time：9 weeks
风险等级：1.55最长访问时间：200 ns
其他特性：10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码：R-PDMA-P28
JESD-609代码：e3内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.01 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DS1225AD-200+ 数据手册

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19-5625; Rev 11/10  
DS1225AB/AD  
64k Nonvolatile SRAM  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
. 10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
VCC  
WE  
NC  
1
28  
27  
NC  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
2
3
4
. Data is automatically protected during power  
loss  
. Directly replaces 8k x 8 volatile static RAM  
or EEPROM  
26  
25  
A8  
A9  
5
6
24  
23  
A11  
OE  
7
8
22  
21  
A3  
A2  
. Unlimited write cycles  
A10  
CE  
DQ7  
DQ6  
. Low-power CMOS  
A1  
A0  
9
10  
20  
19  
. JEDEC standard 28-pin DIP package  
. Read and write access times of 70 ns  
. Lithium energy source is electrically  
disconnected to retain freshness until power  
is applied for the first time  
. Full ±10% VCC operating range (DS1225AD)  
. Optional ±5% VCC operating range  
(DS1225AB)  
DQ0  
11  
12  
18  
17  
DQ1  
DQ2  
GND  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
13  
14  
16  
15  
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE  
720-mil EXTENDED  
PIN DESCRIPTION  
. Optional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
A0-A12  
DQ0-DQ7  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
CE  
WE  
- Output Enable  
- Power (+5V)  
- Ground  
OE  
VCC  
GND  
NC  
- No Connect  
DESCRIPTION  
The DS1225AB and DS1225AD are 65,536-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 8192 words  
by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which  
constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium  
energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent  
data corruption. The NV SRAMs can be used in place of existing 8k x 8 SRAMs directly conforming to  
the popular bytewide 28-pin DIP standard. The devices also match the pinout of the 2764 EPROM and  
the 2864 EEPROM, allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on the  
number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for  
microprocessor interfacing.  
1 of 10  
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DS1225AD-200+ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DS1225AD-200 MAXIM

完全替代

 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28
DS1225AD-200IND+ MAXIM

类似代替

 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1225AD-200-IND DALLAS

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 		64k Nonvolatile SRAM
DS1225AD-200IND+ MAXIM

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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28
DS1225AD-70 DALLAS

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 		64k Nonvolatile SRAM
DS1225AD-70 MAXIM

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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28
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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-28
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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28
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