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DS1225Y-200-IND

更新时间： 2024-11-30 22:19:11
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 85K
描述
64K Nonvolatile SRAM

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DS1225Y-200-IND 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.89
最长访问时间：200 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.085 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL

DS1225Y-200-IND 数据手册

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DS1225Y  
DS1225Y  
64K Nonvolatile SRAM  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
• 10 years minimum data retention in the absence of  
NC  
A12  
A7  
1
2
3
28  
27  
26  
VCC  
WE  
NC  
external power  
• Data is automatically protected during power loss  
• Directly replaces 8K x 8 volatile static RAM or EE-  
A6  
A5  
A4  
A3  
4
5
6
7
25  
24  
23  
22  
A8  
PROM  
A9  
• Unlimited write cycles  
A11  
OE  
• Low-power CMOS  
A2  
A1  
8
9
21  
20  
A10  
CE  
• JEDEC standard 28–pin DIP package  
• Read and write access times as fast as 150 ns  
• Full ±10% operating range  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
10  
11  
12  
13  
14  
19  
18  
17  
16  
15  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
• Optional industrial temperature range of –40°C to  
+85°C, designated IND  
28–PIN ENCAPSULATED PACKAGE  
720 MIL EXTENDED  
PIN DESCRIPTION  
A0–A12  
DQ0–DQ7  
CE  
WE  
OE  
–
–
–
–
–
–
–
–
Address Inputs  
Data In/Data Out  
Chip Enable  
Write Enable  
Output Enable  
Power (+5V)  
Ground  
V
CC  
GND  
NC  
No Connect  
DESCRIPTION  
The DS1225Y 64K Nonvolatile SRAM is a 65,536–bit,  
fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words  
by 8 bits. Each NV SRAM has a self–contained lithium  
energy source and control circuitry which constantly  
directly conforming to the popular bytewide 28–pin DIP  
standard. The DS1225Y also matches the pinout of the  
2764 EPROM or the 2864 EEPROM, allowing direct  
substitution while enhancing performance. There is no  
limit on the number of write cycles that can be executed  
and no additional support circuitry is required for micro-  
processor interfacing.  
monitors V for an out–of–tolerance condition. When  
CC  
such a condition occurs, the lithium energy source is  
automaticallyswitchedonandwriteprotectionisuncon-  
ditionally enabled to prevent data corruption. The NV  
SRAM can be used in place of existing 8K x 8 SRAMs  
021998 1/8  
12345678

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与DS1225Y-200-IND相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1225Y-IND DALLAS

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 		Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28,
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