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DRA3A43T PDF预览

DRA3A43T

更新时间： 2024-11-09 20:56:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 299K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, 3 PIN

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DRA3A43T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.72其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRA3A43T 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRA3A43T  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Complementary to DRC3A43T  
DRA9A43T in SSSMini3 type package  
ꢀPackage  
Features  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
SSSMini3-F2-B  
ꢀPin Name  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)  
ꢀMarking Symbol: GF  
ꢀInternal Connection  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
C
E
R1  
B
–50  
V
–80  
mA  
mW  
°C  
Resistance value  
R1  
4.7  
kΩ  
Total power dissipation  
PT  
100  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
– 0.01  
460  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
160  
–1.0  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
R1  
– 0.4  
V
Input resistance  
–30%  
4.7  
+30%  
kΩ  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: April 2011  
Ver. AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA3A43X PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
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