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DRA3A43Z

更新时间： 2024-11-25 21:10:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	302K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, 3 PIN

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DRA3A43Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.72	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DRA3A43Z 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRA3A43Z

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Complementary to DRC3A43Z

DRA9A43Z in SSSMini3 type package

 Features

ꢀPackage

 High forward current transfer ratio h_FE

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

ꢀCode

SSSMini3-F2-B

ꢀPin Name

1: Base

2: Emitter

 Packaging

3: Collector

Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: GC

ꢀInternal Connection

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

–50

Unit

R₁

R₂

–50

–80

°C

R₁

R₂

4.7

kΩ

Total power dissipation

P_T

100

Resistance value

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input voltage (ON)

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= –50 V, I_E= 0

V_CE= –50 V, I_B= 0

V_EB= –6 V, I_C= 0

– 0.1

– 0.5

– 0.2

400

µA



V_CE= –10 V, I_C= –5 mA

V_CE(sat)I_C= –10 mA, I_B= – 0.5 mA

V_I(on)V_CE= – 0.2 V, I_C= –5 mA

– 0.25

–1.3

Input voltage (OFF)

V_I(off)V_CE= –5 V, I_C= –100 µA

– 0.4

+30%

0.12

Input resistance

R₁

–30%

0.08

4.7

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

0.10

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: April 2011

Ver. AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRA3A43Z0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRA3A44E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DRA3A44E0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
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