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DPG30C200PB

更新时间： 2024-11-05 12:44:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 107K
描述
High Performance Fast Recovery Diode

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DPG30C200PB 数据手册

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DPG 30 C 200 HB  
advanced  
VRRM  
IFAV = 2x  
trr  
=
200 V  
HiPerFRED  
A
15  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
=
35 ns  
Part number  
1
2
3
DPG 30 C 200 HB  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Housing: TO-247  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
200  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 200V  
VR = 200V  
TVJ  
1
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
0.08 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
15A  
30A  
15A  
30A  
=
1.25  
1.50  
1.00  
1.27  
15  
V
V
V
V
A
V
Ω
T
VJ = 150°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 140°C  
TVJ = 175°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular, d = 0.5  
0.69  
17.3  
for power loss calculation only  
slope resistance  
m
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
1.70 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
175  
90  
°C  
W
A
TC  
=
=
=
=
=
=
=
25°C  
45°C  
25°C  
°C  
(50 Hz), sine  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
150  
t = 10 ms  
3
tbd  
35  
A
A
IF = 20A; VR = 100 V  
-diF/dt = 200 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
25°C  
°C  
ns  
ns  
pF  
tbd  
tbd  
CJ  
VR = 100V; f = 1 MHz  
25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
0629  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
© 2007 IXYS all rights reserved  
123

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DPG30C200PB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DPG30C200HB IXYS

功能相似

 High Performance Fast Recovery Diode
15ETX06FPPBF VISHAY

功能相似

 Hyperfast Rectifier, 15 A FRED PtTM
SBR20A300CT DIODES

功能相似

 20A SBR Super Barrier Rectifier

与DPG30C200PB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DPG30C200PC IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
DPG30C200PC LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C200PC-TRL LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode,
DPG30C200PC-TUB LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode,
DPG30C300HB IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode
DPG30C300HB LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C300PB IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode
DPG30C300PB LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C300PC IXYS

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 		High Performance Fast Recovery Diode
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