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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DPG20C400PC
DPG20C400PC PDF预览

DPG20C400PC

更新时间： 2024-11-05 12:53:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
HiPerFRED²

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DPG20C400PC 数据手册

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DPG 20 C 400 PB  
VRRM  
IFAV = 2x  
trr  
=
400 V  
HiPerFRED²  
A
10  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
=
45 ns  
Part number  
2
1
3
DPG 20 C 400 PB  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Housing: TO-220  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
400  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 400V  
VR = 400V  
TVJ  
1
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
0.15 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
10A  
20A  
10A  
20A  
=
1.32  
1.51  
1.03  
1.24  
10  
V
V
V
V
A
V
T
VJ = 150°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 145°C  
TVJ = 175°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
0.77  
for power loss calculation only  
slope resistance  
19.8 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
2.30 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
175  
65  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
150  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
4
6
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
A
IF = 10 A; VR = 270V  
-diF/dt = 200 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
45  
65  
12  
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 200 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20100125a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2010 IXYS all rights reserved  
©
1234

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DPG20C400PC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DPG60IM300PC IXYS

类似代替

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 60A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS
DSEP40-03AS IXYS

类似代替

 HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
LQA20B300C POWERINT

功能相似

 300 V, 20 A Q-Series Common-Cathode Diode

与DPG20C400PC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DPG20C400PC-TRL IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode,
DPG20C400PC-TUB IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode,
DPG20C400PN IXYS

获取价格

 		HiPerFRED²
DPG20C400PN LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C200HB IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode
DPG30C200HB LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C200PB IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode
DPG30C200PB LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DPG30C200PC IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
DPG30C200PC LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

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