是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 23 weeks | 风险等级: | 1.73 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 10.2 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 44 A |
最大漏极电流 (ID): | 44 A | 最大漏源导通电阻: | 0.017 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 10 pF |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT8012LPS | DIODES |
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80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT8012LPS_17 | DIODES |
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80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT8012LPS-13 | DIODES |
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80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT8012LSS | DIODES |
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80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT8012LSS-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, | |
DMT8030LFDF | DIODES |
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80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT80600S080W | ETC |
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8.0”, 800×600 dots, M600 Core, 65K colors TFT | |
DMT80N85 | DYELEC |
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85V N-Channel Power MOSFET | |
DMT80N85-TU | DYELEC |
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85V N-Channel Power MOSFET | |
DMT-8-15 | BEL |
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Split Bobbin Power Transformer, 100VA, ROHS COMPLIANT |